概述：

忆阻器英文名为 memristor, 用  符号 M 表示，与电阻 R，电容 C， 电感 L 构成四种基本无源电路  器件，它是连接磁通量与电荷  之间关系的纽带，其同时具备  电阻和存储的性能，是一种新  一代高速存储单元，通常称为  阻变存储器 (RRAM)。

忆阻器备受关注的重要应用领域包括：非易失存储 (Nonvolatile memory)，逻辑运算 (Logic computing)， 以及类脑神经形态计 算 (Brain-inspired neuromorphic computing) 等。 这 三 种 截 然 不同又相互关联的技术路线，为发展信息存储与处理融合的新 型计算体系架构，突破传统冯 • 诺伊曼架构瓶颈，提供了可行 的路线。

在忆阻器研究不断取得新成果的同时，基于忆阻器的多功能耦 合器件也成为研究人员关注的热点。这些新型耦合器件包括： 磁耦合器件、光耦合器件、超导耦合器件、相变忆阻器件、铁 电耦合器件等。

忆阻器基础研究测试

忆阻器研究可分为基础研究、性能研究以及集成研究三个阶段， 此研究方法对阻变存储器 (RRAM)、相变存储器 (PCM) 和铁电 存储器 (FeRAM) 均适用。

忆阻器基础研究阶段主要研究忆阻器材料体系和物理机制，以及 对忆阻器器参数进行表征，并通过捏滞回线对忆阻器进行分类。

忆阻器基础研究测试包括：直流特性、交流特性及脉冲特性测试。

忆阻器直流特性测试通常与 Forming 结合， 主 要测试忆阻器直流 V-I 曲线，并以此推算 SET/ RESET 电压 / 电流、HRS、LRS 等忆阻器重要 参数，可以进行单向扫描或双向扫描。

忆阻器交流特性主要进行捏滞回线的测试，捏滞 回线是鉴别忆阻器类型的关键。

忆阻器脉冲测试能有效地减小直流测试积累的焦  耳热的影响，同时，也可以用来研究热量对器件  性能的影响。由于忆阻器表征技术正向极端化发  展，皮秒级脉冲擦写及信号捕捉的需求日益强烈。

泰克忆阻器基础研究测试方案

高性价比测试方案

泰克方案优势 :

•  多种不同的配置方案，满足不同的客户需求

• 泰克中国具有本地研发团队，满足客户定制化 的测试需求

• 泰克合作伙伴提供全部硬件系统集成

•  多家领先的忆阻器研发单位采用泰克测试方案